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电子元器件详细资料 » IC[28731] » SI7866ADP-T1-GE3
型号:SI7866ADP-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? SO-8描述:MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C40A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C2.4 毫欧 @ 20A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.2V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs125nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds5415pF @ 10V
功率_最大83W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? SO-8
供应商设备封装PowerPAK? SO-8
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市成鼎业科技有限公司张0755-82769062
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
深圳市科恒伟业电子有限公司李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801
深圳市维基鸿电子有限公司米小姐,黄小姐19520735817/13148740183
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SI7866ADP-T1-GE3相关型号

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